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        固體電子學研究與進展
        • 創(chuàng)刊時間1981
        • 影響因子0.29
        • 發(fā)行周期雙月刊
        • 審稿周期1-3個月

        固體電子學研究與進展雜志 統(tǒng)計源期刊

        主管單位:中國電子科技集團公司 主辦單位:南京電子器件研究所

        《固體電子學研究與進展》是一本由南京電子器件研究所主辦的一本電子類雜志,該刊是統(tǒng)計源期刊,主要刊載電子相關領域研究成果與實踐。該刊創(chuàng)刊于1981年,出版周期雙月刊,影響因子為0.29。該期刊已被統(tǒng)計源期刊(中國科技論文優(yōu)秀期刊)、知網(wǎng)收錄(中)、維普收錄(中)、萬方收錄(中)、CA 化學文摘(美)、JST 日本科學技術(shù)振興機構(gòu)數(shù)據(jù)庫(日)、國家圖書館館藏、上海圖書館館藏收錄。

        雜志介紹 征稿要求 數(shù)據(jù)統(tǒng)計 文章選集 聯(lián)系方式 常見問題 推薦期刊

        固體電子學研究與進展雜志介紹

        辦刊宗旨是面向21世紀固體物理和微電子學領域的創(chuàng)新性學術(shù)研究??堑闹饕獌?nèi)容為:無機和有機固體物理、硅微電子、射頻器件和微波集成電路、微機電系統(tǒng)(MEMS)、納米技術(shù)、固體光電和電光轉(zhuǎn)換、有機發(fā)光器件(OLED)和有機微電子技術(shù)、高溫微電子以及各種固體電子器件等方面的創(chuàng)新性科學技術(shù)報告和學術(shù)論文,論文和研究報告反映國家固體電子學方面的科技水平。

        本刊主要資助項目有:國家自然科學基金、國家高技術(shù)研究發(fā)展計劃、國家重點基礎研究發(fā)展計劃、江蘇省自然科學基金、中央高?;究蒲袠I(yè)務費專項資金、國家科技重大專項、國家教育部博士點基金、福建省自然科學基金、國家重點實驗室開放基金、河北省自然科學基金。

        本刊主要資助課題有:江蘇省“六大人才高峰”高層次人才項目(DZXX-053)、國家自然科學基金(60371029)、國家自然科學基金(60506012)、國家自然科學基金(60776016)、中央高校基本科研業(yè)務費專項資金(JUSRP51323B)、國家高技術(shù)研究發(fā)展計劃(2009AA011605)、北京市人才強教計劃項目(05002015200504)、國家自然科學基金(69736020)、國家自然科學基金(61106130)、國防科技重點實驗室基金(9140C1402021102)。

        固體電子學研究與進展雜志征稿要求

        1.本刊力倡引用正式出版物。中文文獻題名應使用書名號。

        2.投稿請注明作者姓名、單位、電話、郵編和詳細通訊地址。

        3.稿件請附3-6個能反映論文主題的中英文對照的關鍵詞。

        4.文責自負。依照《著作權(quán)法》的有關規(guī)定,編輯部保留對來稿作文字修改、刪節(jié)的權(quán)利,不同意改動者務請注明。

        5.“作者簡介”置于首頁腳注處;基金項目請在文章首頁腳注處寫明項目來源和課題編號。

        固體電子學研究與進展雜志數(shù)據(jù)統(tǒng)計

        歷年影響因子和發(fā)文量

        主要機構(gòu)發(fā)文分析

        機構(gòu)名稱 發(fā)文量 主要研究主題
        南京電子器件研究所 925 晶體管;電路;放大器;單片;GAAS
        東南大學 317 電路;半導體;放大器;晶體管;集成電路
        復旦大學 231 電路;功耗;集成電路;低功耗;半導體
        中國科學院 148 晶體管;半導體;分子束;分子束外延;異質(zhì)結(jié)
        西安電子科技大學 116 半導體;電路;金屬氧化物半導體;晶體管;碳化硅
        浙江大學 77 電路;半導體;芯片;金屬氧化物半導體;低功耗
        清華大學 70 電路;集成電路;計算機;半導體;GAAS
        天津大學 69 隧穿;電路;晶體管;共振隧穿;負阻
        南京大學 68 發(fā)光;半導體;納米;氮化鎵;GAN
        中國科學院微電子研究所 68 電路;低噪;低噪聲;晶體管;CMOS

        固體電子學研究與進展雜志文章選集

        • 一款W波段GaN HEMT高諧波抑制八次倍頻器MMIC 項萍; 王維波; 陳忠飛; 郭方金; 潘曉楓; 徐志超
        • 一種3.5 GHz LTE 應用的30 W 40%效率 GaN Doherty 功放設計 陳志勇; 李昂; 曾瑞峰; 祝超; 張呂; 陳新宇
        • 二茂錸分子吸附Zigzag型石墨烯納米帶自旋輸運性質(zhì)的理論研究 劉小月; 李林峰; 葛桂賢
        • 一款0.6~4.2 GHz寬帶低噪聲放大器設計 汪寧歡; 鄭遠; 何旭; 陳新宇; 楊磊
        • 毫米波MEMS移相器模塊用驅(qū)動電路研究 黃鎮(zhèn); 朱健; 郁元衛(wèi); 姜理利
        • 基于遺傳算法的射頻工藝容差電性能降維建模 張晏銘; 董樂; 李陽陽; 向偉瑋
        • 新型四通帶濾波器設計 張友俊; 李大偉
        • 一款圓-線極化變換天線罩的設計與應用 邵楠; 王身云; 文舸一
        • 基于左手材料的微帶陣列天線設計 李曉丹; 李峰
        • 不同濃度Ti摻雜Ca2Si電子結(jié)構(gòu)及光學性質(zhì)的研究 鄧永榮; 閆萬珺; 張春紅; 覃信茂; 周士蕓
        • 基于ASL1000的Bandgap Trim 設計及其算法研究 付賢松; 馬富民; 田會娟; 杜橋; 羅濤
        • Ge2Sb2Te5相變存儲單元有源區(qū)對RESET電流影響的研究 王玉菡; 曾自強; 王玉嬋; 王月青
        • 聚合物ESD抑制器測試方法與性能研究 徐曉英; 馮婉琳; 郭瑤; 葉宇輝; 甘瑛潔
        • 共晶錫鉛焊料與薄金焊點可靠性研究 田飛飛; 田昊; 周明
        • 6.5 kV,25 A 4H-SiC功率DMOSFET器件 李士顏; 劉昊; 黃潤華; 陳允峰; 李赟; 柏松; 楊立杰

        固體電子學研究與進展雜志社聯(lián)系方式

        地址:南京1601信箱43分箱

        郵編:210016

        主編:楊乃彬

        常見問題

        固體電子學研究與進展
        固體電子學研究與進展雜志

        價格:¥220.00元/1年 雙月刊

        主辦單位:南京電子器件研究所

        免責聲明

        若用戶需要出版服務,請聯(lián)系出版商,地址:南京1601信箱43分箱,郵編:210016。